由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式偏压电路。
1．自偏压电路
图XX_01(a)所示电路是一个自偏压电路，其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻R上产生的电压为栅源极间提供一个偏置电压VGS，故称为自偏压电路。静态时，源极电位VS=IDR。由于栅极电流为零，Rg上没有电压降，机极电位VG=0，所以栅源偏置电压VGS= VG–VS= –IDR。耗尽型MOS管也可采用这种形式的偏置电路。
图XX_01(b)所示电路是自偏压电路的特例，其中VGS=0。显然，这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，因为在机源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作。
增强型MOS管只有在机源电压达到其开启电压VT时，才有漏极电流ID产生，因此这类管子不能用于图XX_01所示的自偏压电路中。
2．分压式偏置电路
分压式偏置电路是在自偏压电路的基础上加接分压电路后构成的，如图XX_02所示。静态时，由于栅极电流为零，Rg3上没有电压降，所以栅极电位由Rg2与Rg1对电源VDD分压得到 。源极电位VS=IDR。
这种偏置方式同样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管组成的放大电路。
对场效应管放大电路的列态分析也可以采用图解法或公式估算法，图解法的步骤与双极型三极管放大电路的图解法相似。这里仅讨论用公式估算法求静态工作点。
工作在饱和区时，结型场效应管和耗尽型MOS管的漏极电流
，增强型MOS管的漏极电流
。
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0440101图XX_01 |
0440101图XX_02 |
求静态工作点时，对于知识点0440101中图XX_01(a)所示电路，可求解方程组
得到ID和VGS。
管压降
对于知识点0440101中图XX_02所示电路，可求解方程组
得到ID和VGS。
管压降 VDS=VDD– ID(Rd+R)
场效应管也是非线性器件，在输入信号电压很小的条件下，也可将其用小信号模型等效。与建立双极型三极管小信号模型相似，将场效应管也看成一个两端口网络，以结型场效应管为例，栅极与源极之间为输入端口，漏极与源极之间为输出端口。无论是哪种类型的场效应管，均可以认为栅极电流为零，输入端口视为开路（即视 ），栅源极间只有电压存在。在输出端口，漏极电流iD是vGS和vDS的函数，即
研究电压、电流间的微变关系时，要用全微分表示，即
在介绍场效应管参数时已经讲过， 称为低频跨导，表征vGS对iD的控制能力。 （rd为场效应管的输出电阻），表明vDS对iD的影响程度。分别用gm和 代入上式，则得
当输入信号为幅值较小的正弦波信号，管子的电压、电流只在Q点附近变化时，上式中的diD、dvGS、diDS可用电流、电压的交流分量代替，于是得到
由此式可见，场效应管的输出端口可用一个电流源gmvgs和输出电阻rd的并联网络等效。电流源gmvgs是受电压vgs控制的，称为压控电流源，其方向由vgs的极性决定。于是在低频小信号条件下，场效应管可用图XX_01(b)所示朱上信号模型等效。图XX_01(c)是场效应管小信号模型的另一种形式，其输出回路用电压控制的电压源 和输出电阻 串联的形式表示。
当场效应管工作在高频小信号条件下时，其极间电容的影响不能忽略，这时场效应管要用如图XX_01(d)所示的高频小信号模型等效。
与双极型三极管放大电路相对应，场效应管放大电路也有三种基本组态，即共源极、共漏极和共栅极放大电路（由于共栅连接时，栅极与沟道间的高阻未能发挥作用，故共栅电路很少使用）。用场效应管小信号模型分析其放大电路的步骤，与三极管放大电路的小信号模型分析法的步骤也相同。
图XX_01(a)所示为共源极放大电路，其中频小信号等效电路如图XX_01(b)所示。
1．中频电压增益
场效应管的输出电阻rd通常在几百千欧数量级，比电阻Rd、RL大得多，因此可将rd作开路处理，于是图XX_01(b)中
式中负号表示共源极放大电路的输出电压与输入电压相位相反，即共源放大电路属于反相电压放大电路。
2．输入电阻
由于场效应管栅极几乎不取信号电流，栅源极间的交流电阻可视为无穷大，因此，图XX_01所示共源极放大电路的输入电阻为
3．输出电阻
应用前面介绍过的求放大电路输出电阻的方法，可求得图XX_01所示电路的输出电阻为 。
由上述分析可知，与共射极放大电路类似，共源极放大电路具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相，故被称为反相电压放大器；共源极放大电路的输入电阻很高，输出电阻主要由漏极电阻Rd决定。适用于作多级放大电路的输入级或中间级。
